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    本系列晶片是由CMOS工藝集成的PIR（Passive Infra-Red）控制器晶片，功耗很低，採用PIR人體熱釋紅外線探測技術方案，內置高精度算法單元，可自調整適應當前環境，濾出環境干擾，有效提取人體信號，最遠感應距離高達十幾米。 實際應用電路相當簡單，研發和生產無需調試，大幅度降低生產成本，並且節省空間。
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    參數表

    型號

    工作電壓

    工作電流

    功能

    OTP

    SRAM

    ADC ENOB

    輸出延時設置

    外設

    應用領域

    封裝

    • 2.4~3.6V

      500μA

      帶 PWM 輸出多路PIR 應用 SOC

      4k Bytes

      256 Bytes

      20.6bits@250sps，Gain = 1

      --

      PWM

      PIR和NCV等

      SOP14

    • 2.4~3.6V

      500μA

      帶 PWM 輸出與高精度 ADC 的 SOC

      4k Bytes

      256 Bytes

      20.6bits@250sps，Gain = 1

      --

      PWM

      PIR和NCV等

      SOP8

    • 2.8~3.6V

      400μA

      熱釋電紅外感應晶片

      --

      --

      --

      1~600秒

      --

      --

      SOP8

    產
    品
    目
    錄

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